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Référence fabricant | V2FM12-M3/I |
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Numéro de pièce future | FT-V2FM12-M3/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | eSMP®, TMBS® |
V2FM12-M3/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 120V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 960mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 65µA @ 120V |
Capacité @ Vr, F | 130pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V2FM12-M3/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V2FM12-M3/I-FT |
S07D-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07D-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07G-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07J-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07J-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07M-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLB-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLB-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLD-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLD-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel