maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / V20200G-E3/4W
Référence fabricant | V20200G-E3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-V20200G-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
V20200G-E3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V20200G-E3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V20200G-E3/4W-FT |
MBR2545CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2560CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H35PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H45PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H60CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBL1040CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBL25L30CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100R-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40100K-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFECP6E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484I4N
Intel
5CEBA2F17C7N
Intel
XC7K70T-3FBG484E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35I5
Intel
EP4CE115F29I7N
Intel
EP3SL70F780C4
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10AX032E1F27I1HG
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EP20K200EQI208-3
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