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Référence fabricant | V1P6-M3/H |
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Numéro de pièce future | FT-V1P6-M3/H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | eSMP® |
V1P6-M3/H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 600mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | 130pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | MicroSMP |
Package d'appareils du fournisseur | MicroSMP (DO-219AD) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V1P6-M3/H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V1P6-M3/H-FT |
UH4PBCHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH4PBCHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH4PCCHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH4PCCHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH6PD-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH6PD-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH6PD-M3H/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH6PDHM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH6PDHM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH6PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel