maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / V12P10-E3/87A
Référence fabricant | V12P10-E3/87A |
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Numéro de pièce future | FT-V12P10-E3/87A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | eSMP®, TMBS® |
V12P10-E3/87A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 12A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 700mV @ 12A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 250µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-277, 3-PowerDFN |
Package d'appareils du fournisseur | TO-277A (SMPC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V12P10-E3/87A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V12P10-E3/87A-FT |
SE70PJHM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE70PJHM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE70PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P3-E3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P3HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P3HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4-E3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4-E3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel