maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / V12P10-E3/86A
Référence fabricant | V12P10-E3/86A |
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Numéro de pièce future | FT-V12P10-E3/86A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | eSMP®, TMBS® |
V12P10-E3/86A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 12A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 700mV @ 12A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 250µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-277, 3-PowerDFN |
Package d'appareils du fournisseur | TO-277A (SMPC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V12P10-E3/86A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V12P10-E3/86A-FT |
SE70PJ-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE70PJHM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE70PJHM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE70PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P3-E3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P3HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P3HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4-E3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4-E3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel