maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / V10KM120DUHM3/H
Référence fabricant | V10KM120DUHM3/H |
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Numéro de pièce future | FT-V10KM120DUHM3/H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
V10KM120DUHM3/H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 120V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 890mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 350µA @ 120V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Package d'appareils du fournisseur | FlatPAK 5x6 (Dual) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V10KM120DUHM3/H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V10KM120DUHM3/H-FT |
VFT1080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT1080C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2060G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2060G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2080C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel