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Référence fabricant | UVR2E470MHD1TO |
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Numéro de pièce future | FT-UVR2E470MHD1TO |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UVR |
UVR2E470MHD1TO Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 47µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 250V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 300mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 480mA @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.197" (5.00mm) |
Taille / Dimension | 0.492" Dia (12.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.063" (27.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UVR2E470MHD1TO Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UVR2E470MHD1TO-FT |
UVR2F220MHD1TO
Nichicon
UVR2G100MHD1TO
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UVR2F100MPD1TD
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UVR2V100MPD1TD
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UVR2W4R7MPD1TD
Nichicon
APA075-TQG144
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
EP3C80U484C8
Intel
EP4SGX290FH29I4
Intel
5SGXMA4K3F35I3N
Intel
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-9400E-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35E2SG
Intel
EP3SE110F780C4N
Intel
EPF10K100EQC208-1
Intel