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Référence fabricant | UVR1E682MHD |
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Numéro de pièce future | FT-UVR1E682MHD |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UVR |
UVR1E682MHD Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 6800µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 25V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 2.9A @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 3.335A @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.295" (7.50mm) |
Taille / Dimension | 0.709" Dia (18.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.476" (37.50mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UVR1E682MHD Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UVR1E682MHD-FT |
UVR1H010MDA
Nichicon
UVR1H0R1MDA
Nichicon
UVR1H0R1MDD1TD
Nichicon
UVR1H100MDA
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UVR1H4R7MDA
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EX128-PTQ64I
Microsemi Corporation
XC2S100-5FG256C
Xilinx Inc.
A3P600-2FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15E22C7
Intel
5SGXEA4K3F35C2LN
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