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Référence fabricant | UVP1E102MHD1TN |
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Numéro de pièce future | FT-UVP1E102MHD1TN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UVP |
UVP1E102MHD1TN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 1000µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 25V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Polarisation | Bi-Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 950mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 1.0925A @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.295" (7.50mm) |
Taille / Dimension | 0.630" Dia (16.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.063" (27.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UVP1E102MHD1TN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UVP1E102MHD1TN-FT |
UVR1A223MRA6
Nichicon
UVR1C153MRA6
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UVR1E103MRA6
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LCMXO2-640HC-5TG100I
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XC6SLX150T-N3FG900C
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XC7A50T-2FG484I
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A3P400-2PQG208I
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XC4VFX40-11FF1152I
Xilinx Inc.
AGL125V2-CS196
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A42MX09-TQG176M
Microsemi Corporation