maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs électrolytiques en aluminium / USV1C101MFD1TD
Référence fabricant | USV1C101MFD1TD |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-USV1C101MFD1TD |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | USV |
USV1C101MFD1TD Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 100µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 16V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 5000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 107mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 160.5mA @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.138" (3.50mm) |
Taille / Dimension | 0.315" Dia (8.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.315" (8.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USV1C101MFD1TD Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | USV1C101MFD1TD-FT |
USF1A470MDD1TP
Nichicon
USF1A680MDD1TE
Nichicon
USF1A680MDD1TP
Nichicon
USF1C330MDD1TE
Nichicon
USF1C330MDD1TP
Nichicon
USF1C470MDD1TE
Nichicon
USF1C470MDD1TP
Nichicon
USF1E330MDD1TE
Nichicon
USF1E330MDD1TP
Nichicon
USF1V150MDD1TE
Nichicon
A40MX04-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-FG484
Microsemi Corporation
M2GL025TS-1VFG256
Microsemi Corporation
EP3C55F484I7N
Intel
10M16DCF484A7G
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC2VP7-5FFG896C
Xilinx Inc.
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation