maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs électrolytiques en aluminium / USR1H330MDD1TD
Référence fabricant | USR1H330MDD1TD |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-USR1H330MDD1TD |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | USR |
USR1H330MDD1TD Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 33µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 50V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 75mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 112.5mA @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.138" (3.50mm) |
Taille / Dimension | 0.315" Dia (8.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.315" (8.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USR1H330MDD1TD Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | USR1H330MDD1TD-FT |
USR1A220MDD1TP
Nichicon
USR1A330MDD1TE
Nichicon
USR1A330MDD1TP
Nichicon
USR1C100MDD1TE
Nichicon
USR1C100MDD1TP
Nichicon
USR1C220MDD1TE
Nichicon
USR1C220MDD1TP
Nichicon
USR1H010MDD1TE
Nichicon
USR1H2R2MDD1TE
Nichicon
USR1H2R2MDD1TP
Nichicon
EX128-PTQ64I
Microsemi Corporation
XC2S100-5FG256C
Xilinx Inc.
A3P600-2FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15E22C7
Intel
5SGXEA4K3F35C2LN
Intel
EP3SL150F1152I4L
Intel