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Référence fabricant | USR1E101MDD1TE |
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Numéro de pièce future | FT-USR1E101MDD1TE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | USR |
USR1E101MDD1TE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 100µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 25V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 115mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 172.5mA @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.138" (3.50mm) |
Taille / Dimension | 0.315" Dia (8.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.315" (8.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USR1E101MDD1TE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | USR1E101MDD1TE-FT |
MLS102M150EB0D
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XA3S200-4TQG144I
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XA3SD3400A-4CSG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2PQ208
Microsemi Corporation
A40MX02-1PLG44I
Microsemi Corporation
XC6VLX760-2FFG1760C
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-7F672C
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5AGXBA7D4F35I5N
Intel
EP20K160EBC356-1N
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EP4SGX530HH35C2
Intel