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Référence fabricant | USP1H3R3MDD1TE |
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Numéro de pièce future | FT-USP1H3R3MDD1TE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | USP |
USP1H3R3MDD1TE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 3.3µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 50V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Polarisation | Bi-Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 20mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 30mA @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.197" (5.00mm) |
Taille / Dimension | 0.197" Dia (5.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.315" (8.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USP1H3R3MDD1TE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | USP1H3R3MDD1TE-FT |
MLP331M400EB1D
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MLP331M420EB0D
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XC4006E-1TQ144C
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EPF8282AVTC100-4
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EP20K200FC484-2XV
Intel
5SGXEABN1F45C2N
Intel
5SEEBH40I3N
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC6E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME3H2F35I3LN
Intel