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Référence fabricant | USP1E4R7MDD1TP |
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Numéro de pièce future | FT-USP1E4R7MDD1TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | USP |
USP1E4R7MDD1TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 4.7µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 25V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Polarisation | Bi-Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 21mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 31.5mA @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.098" (2.50mm) |
Taille / Dimension | 0.197" Dia (5.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.315" (8.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USP1E4R7MDD1TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | USP1E4R7MDD1TP-FT |
MLP331M400EB0D
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
MLP331M400EB1D
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EP3C80U484C8
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EP4SGX290FH29I4
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5SGXMA4K3F35I3N
Intel
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-9400E-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35E2SG
Intel
EP3SE110F780C4N
Intel
EPF10K100EQC208-1
Intel