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Référence fabricant | USP1E470MDD1TE |
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Numéro de pièce future | FT-USP1E470MDD1TE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | USP |
USP1E470MDD1TE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 47µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 25V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Polarisation | Bi-Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 87mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 130.5mA @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.138" (3.50mm) |
Taille / Dimension | 0.315" Dia (8.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.315" (8.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USP1E470MDD1TE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | USP1E470MDD1TE-FT |
USR0G101MDD
Nichicon
USR1C470MDD1TP
Nichicon
USR1C330MDD
Nichicon
USR1A470MDD
Nichicon
USR1V220MDD
Nichicon
USR0J101MDD1TP
Nichicon
USR1H100MDD1TP
Nichicon
USR0G101MDD1TE
Nichicon
USR0G101MDD1TP
Nichicon
USR0J101MDD1TE
Nichicon
A3PN015-QNG68
Microsemi Corporation
EX256-FTQ100
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQG176I
Microsemi Corporation
EP3C25F256I7N
Intel
10M50DCF256A7G
Intel
XA6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-1MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34I1SG
Intel
EP2AGX260FF35C5
Intel