maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs électrolytiques en aluminium / USF0J221MDD1TD
Référence fabricant | USF0J221MDD1TD |
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Numéro de pièce future | FT-USF0J221MDD1TD |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | USF |
USF0J221MDD1TD Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 220µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 6.3V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 1000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 100mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 200mA @ 100kHz |
Impédance | 500 mOhms |
Espacement des fils | 0.138" (3.50mm) |
Taille / Dimension | 0.315" Dia (8.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.315" (8.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USF0J221MDD1TD Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | USF0J221MDD1TD-FT |
USP1A100MDD1TP
Nichicon
USP1C4R7MDD1TE
Nichicon
USP1C4R7MDD1TP
Nichicon
USP1H010MDD1TE
Nichicon
USP1H010MDD1TP
Nichicon
USP1H0R1MDD1TE
Nichicon
USP1H0R1MDD1TP
Nichicon
USP1H2R2MDD1TE
Nichicon
USP1H2R2MDD1TP
Nichicon
USP1HR22MDD1TE
Nichicon
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG484I
Microsemi Corporation
AGLE600V2-FG256I
Microsemi Corporation
5SGSMD3E2H29C2N
Intel
XC4VLX25-10SFG363C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2CPG236I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQ176M
Microsemi Corporation
A42MX24-1TQ176
Microsemi Corporation
EPF6024AQC240-2
Intel
EP20K200RC208-1V
Intel