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Référence fabricant | USA1E330MDD1TE |
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Numéro de pièce future | FT-USA1E330MDD1TE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | USA |
USA1E330MDD1TE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 33µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 25V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 63mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 94.5mA @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.098" (2.50mm) |
Taille / Dimension | 0.248" Dia (6.30mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.315" (8.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USA1E330MDD1TE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | USA1E330MDD1TE-FT |
USV1E220MFD1TE
Nichicon
USV1E220MFD1TP
Nichicon
USV1E330MFD1TE
Nichicon
USV1E330MFD1TP
Nichicon
USV1E470MFD1TD
Nichicon
USV1H100MFD
Nichicon
USV1H100MFD1TE
Nichicon
USV1H100MFD1TP
Nichicon
USV1H220MFD1TD
Nichicon
USV1V220MFD1TE
Nichicon
XCVU3P-1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGL600V5-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1152C4N
Intel
XC6SLX4-L1CPG196I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1BG329
Microsemi Corporation
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17I5
Intel
EP4CE115F29I8LN
Intel