maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / US6X8TR
Référence fabricant | US6X8TR |
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Numéro de pièce future | FT-US6X8TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
US6X8TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 NPN (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 25mA, 500mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 100mA, 2V |
Puissance - Max | 400mW |
Fréquence - Transition | 320MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | TUMT6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US6X8TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | US6X8TR-FT |
ULQ2001D1013TR
STMicroelectronics
ULQ2003D1
STMicroelectronics
JANTXV2N6989
Microsemi Corporation
MAT14ARZ
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-R7
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-RL
Analog Devices Inc.
ULN2003F12FN-7
Diodes Incorporated
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
M1A3P600-FG256I
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A3P125-2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C20F484C7N
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10CL016ZE144I8G
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5SGSED8N3F45I4N
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XC4013XL-3BG256C
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LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324C7
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EP4SGX230HF35I4
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5SGSMD3H2F35I3LN
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