maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / US6T8TR
Référence fabricant | US6T8TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-US6T8TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
US6T8TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1.5A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 25mA, 500mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 200mA, 2V |
Puissance - Max | 400mW |
Fréquence - Transition | 400MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | TUMT6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US6T8TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | US6T8TR-FT |
ULN2003AFWG,O,N,E
Toshiba Semiconductor and Storage
ULN2003D1
STMicroelectronics
ULQ2001D1013TR
STMicroelectronics
ULQ2003D1
STMicroelectronics
JANTXV2N6989
Microsemi Corporation
MAT14ARZ
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-R7
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-RL
Analog Devices Inc.
ULN2003F12FN-7
Diodes Incorporated
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO640C-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-6FG256C
Xilinx Inc.
XC2S200-5PQG208I
Xilinx Inc.
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
EP2S30F672C5
Intel
EP20K300EFI672-2N
Intel
5SGXEA7N2F45C3N
Intel
AGL600V2-FGG144T
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation