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Référence fabricant | US1MHE3_A/H |
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Numéro de pièce future | FT-US1MHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
US1MHE3_A/H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US1MHE3_A/H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | US1MHE3_A/H-FT |
VSSAF510-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJU06-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJU06HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF56HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M6-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23M-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1M-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1M-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS14-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel