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Référence fabricant | US1D-E3/61T |
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Numéro de pièce future | FT-US1D-E3/61T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
US1D-E3/61T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US1D-E3/61T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | US1D-E3/61T-FT |
VS-10MQ040NTRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10M-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1B-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRA140TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20J-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26S-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21M-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
CSA2K-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel