maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs électrolytiques en aluminium / URZ1A103MHD1TN
Référence fabricant | URZ1A103MHD1TN |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-URZ1A103MHD1TN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | URZ |
URZ1A103MHD1TN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 10000µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 10V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 1000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 1.7A @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 1.955A @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.295" (7.50mm) |
Taille / Dimension | 0.709" Dia (18.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.063" (27.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
URZ1A103MHD1TN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | URZ1A103MHD1TN-FT |
USA0J220MDD1TP
Nichicon
USA0J221MDD1TD
Nichicon
USA0J330MDD1TE
Nichicon
USA0J330MDD1TP
Nichicon
USA0J470MDD1TE
Nichicon
USA0J470MDD1TP
Nichicon
USA1A101MDD1TD
Nichicon
USA1A220MDD
Nichicon
USA1A220MDD1TE
Nichicon
USA1A220MDD1TP
Nichicon
LFE2-6SE-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1425A-PQ100I
Microsemi Corporation
P1AFS1500-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
XC5VLX155T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
M1AFS1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G4F35I5G
Intel
EP4SGX180FF35C3N
Intel