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Référence fabricant | UPW1V122MHD |
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Numéro de pièce future | FT-UPW1V122MHD |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UPW |
UPW1V122MHD Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 1200µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 35V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 7000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 1.964A @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 2.31A @ 100kHz |
Impédance | 25 mOhms |
Espacement des fils | 0.197" (5.00mm) |
Taille / Dimension | 0.492" Dia (12.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.240" (31.50mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UPW1V122MHD Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UPW1V122MHD-FT |
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LCMXO640E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000L-4FGG320C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA150-FG256A
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-3N
Intel
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel
EP1S40F1508C7N
Intel