maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / UPTB10E3/TR7
Référence fabricant | UPTB10E3/TR7 |
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Numéro de pièce future | FT-UPTB10E3/TR7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UPTB10E3/TR7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 10V |
Tension - Panne (Min) | 11V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 18V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 8.33A |
Puissance - Peak Pulse | 1000W (1kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-216AA |
Package d'appareils du fournisseur | Powermite 1 (DO216-AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UPTB10E3/TR7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UPTB10E3/TR7-FT |
1PMT30AT1G
ON Semiconductor
1PMT33AT1
ON Semiconductor
1PMT33AT1G
ON Semiconductor
1PMT33AT3
ON Semiconductor
1PMT33AT3G
Littelfuse Inc.
1PMT36AT1
ON Semiconductor
1PMT40AT1
ON Semiconductor
1PMT48AT1
ON Semiconductor
1PMT5.0AT1
ON Semiconductor
1PMT5.0AT1G
Littelfuse Inc.
EPF10K30ATC144-2
Intel
XCV50E-8FG256C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C6N
Intel
10AX048H3F34E2SG
Intel
EP3SL110F1152I3
Intel
XC6VCX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC20E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation