maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / UPT10E3/TR7
Référence fabricant | UPT10E3/TR7 |
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Numéro de pièce future | FT-UPT10E3/TR7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UPT10E3/TR7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 10V |
Tension - Panne (Min) | 11V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 18V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 8.33A |
Puissance - Peak Pulse | 1000W (1kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-216AA |
Package d'appareils du fournisseur | Powermite 1 (DO216-AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UPT10E3/TR7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UPT10E3/TR7-FT |
TLD5S12AH
Taiwan Semiconductor Corporation
TLD5S13AH
Taiwan Semiconductor Corporation
TLD5S14AH
Taiwan Semiconductor Corporation
TLD5S15AH
Taiwan Semiconductor Corporation
TLD5S16AH
Taiwan Semiconductor Corporation
TLD5S17AH
Taiwan Semiconductor Corporation
TLD5S18AH
Taiwan Semiconductor Corporation
TLD5S20AH
Taiwan Semiconductor Corporation
TLD5S22AH
Taiwan Semiconductor Corporation
TLD5S24AH
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M1AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP1S10B672C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2L
Intel
XC5VSX35T-2FFG665I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-11FFG672C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CSG289I
Microsemi Corporation
A42MX24-2TQ176I
Microsemi Corporation