maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / UPP1002/TR13
Référence fabricant | UPP1002/TR13 |
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Numéro de pièce future | FT-UPP1002/TR13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWERMITE® |
UPP1002/TR13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 100V |
Courant - Max | - |
Capacité @ Vr, F | 1.6pF @ 100V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 1 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | DO-216AA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-216 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UPP1002/TR13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UPP1002/TR13-FT |
HSMS-282E-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-282E-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-282F-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-282F-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-282F-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-285B-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-285B-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-285B-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-285C-BLK
Broadcom Limited
HSMS-285C-BLKG
Broadcom Limited
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
AGL030V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF6016AFC256-1
Intel
XC6VLX130T-L1FF784I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC7G3F31I3N
Intel
EP2AGX65CU17C6NES
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel
EP4CE40F19A7N
Intel