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Renesas Electronics America UPA2765T1A-E2-AY

Name: UPA2765T1A-E2-AY
Brand: Renesas Electronics America
SKU: UPA2765T1A-E2-AY
Availability: InStock
Rating: 4.9 (664 reviews)

Numéro de pièce MFG: UPA2765T1A-E2-AY

quantité disponible: 71480 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Renesas Electronics America

Brève description: - MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: UPA2765T1A-E2-AY.pdf

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UPA2765T1A-E2-AY Caractéristiques

Référence fabricant	UPA2765T1A-E2-AY
Numéro de pièce future	FT-UPA2765T1A-E2-AY
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
UPA2765T1A-E2-AY Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	100A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9 mOhm @ 32A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	152nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6550pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.5W (Ta), 83W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-HVSON (5.4x5.15)
Paquet / caisse	8-PowerVDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
UPA2765T1A-E2-AY Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	UPA2765T1A-E2-AY-FT

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