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Référence fabricant | UP3T-6R8-R |
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Numéro de pièce future | FT-UP3T-6R8-R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UNI-PAC™ 3T |
UP3T-6R8-R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 6.8µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 5.8A |
Courant - Saturation | 6.2A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 18.9 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | - |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.555" Dia (14.10mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.382" (9.70mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UP3T-6R8-R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UP3T-6R8-R-FT |
TS1608-472M
Tamura
TS1608-4R7M
Tamura
TS1608-680M
Tamura
TS1608-681M
Tamura
TS1608-682M
Tamura
TS1608-6R8M
Tamura
TS3316-100M
Tamura
TS3316-150M
Tamura
TS3316-1R0M
Tamura
TS3316-1R5M
Tamura
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel