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Référence fabricant | UP3B-4R7-R |
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Numéro de pièce future | FT-UP3B-4R7-R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UNI-PAC™ |
UP3B-4R7-R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 4.7µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 6.5A |
Courant - Saturation | 7.7A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 11.4 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.760" L x 0.520" W (19.30mm x 13.21mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.268" (6.80mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UP3B-4R7-R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UP3B-4R7-R-FT |
DRA125-470-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-8R2-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-101-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-220-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-4R7-R
Eaton - Electronics Division
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Eaton - Electronics Division
DRA125-102-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-151-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-1R0-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-1R5-R
Eaton - Electronics Division
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel