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Référence fabricant | UP2T-100-R |
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Numéro de pièce future | FT-UP2T-100-R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UNI-PAC™ 2T |
UP2T-100-R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 10µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 4.3A |
Courant - Saturation | 3.3A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 28 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | - |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.433" Dia (11.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.390" (9.90mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UP2T-100-R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UP2T-100-R-FT |
TP3-6R8-R
Eaton - Electronics Division
TP3-R47-R
Eaton - Electronics Division
TP4-100-R
Eaton - Electronics Division
TP4-150-R
Eaton - Electronics Division
TP4-1R0-R
Eaton - Electronics Division
TP4-1R5-R
Eaton - Electronics Division
TP4-220-R
Eaton - Electronics Division
TP4-2R2-R
Eaton - Electronics Division
TP4-330-R
Eaton - Electronics Division
TP4-3R3-R
Eaton - Electronics Division
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel