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Référence fabricant | UP2C-101-R |
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Numéro de pièce future | FT-UP2C-101-R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UNI-PAC™ 2C |
UP2C-101-R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 100µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.26A |
Courant - Saturation | 1.24A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 233.1 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.508" L x 0.370" W (12.90mm x 9.40mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.205" (5.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UP2C-101-R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UP2C-101-R-FT |
DRA125-821-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-R47-R
Eaton - Electronics Division
DRA124-680-R
Eaton - Electronics Division
DRA124-1R0-R
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DRA124-100-R
Eaton - Electronics Division
DRA124-101-R
Eaton - Electronics Division
DRA124-150-R
Eaton - Electronics Division
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
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A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
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5SGXEA5K3F35I3LN
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EP4SE530H35C2
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Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
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