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Référence fabricant | UP2-3R3-R |
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Numéro de pièce future | FT-UP2-3R3-R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UNI-PAC™ 2 |
UP2-3R3-R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 3.3µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 6.5A |
Courant - Saturation | 5.1A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 13.8 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | - |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.541" L x 0.345" W (13.74mm x 8.76mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.231" (5.86mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UP2-3R3-R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UP2-3R3-R-FT |
DR73-221-R
Eaton - Electronics Division
DR73-471-R
Eaton - Electronics Division
DR73-680-R
Eaton - Electronics Division
DR73-R33-R
Eaton - Electronics Division
DR73-8R2-R
Eaton - Electronics Division
DR73-820-R
Eaton - Electronics Division
DR73-6R8-R
Eaton - Electronics Division
DR73-4R7-R
Eaton - Electronics Division
DR73-470-R
Eaton - Electronics Division
DR73-3R3-R
Eaton - Electronics Division
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
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XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
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EP3C25F324C8
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