maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / UNR511DG0L
Référence fabricant | UNR511DG0L |
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Numéro de pièce future | FT-UNR511DG0L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UNR511DG0L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 80MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-85 |
Package d'appareils du fournisseur | SMini3-F2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR511DG0L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UNR511DG0L-FT |
DRC9144W0L
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XC6VHX380T-1FFG1924I
Xilinx Inc.
XC4VFX100-10FF1152I
Xilinx Inc.
A3P060-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4M100I
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LFE3-70E-7FN672C
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