maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / UNR32A4G0L
Référence fabricant | UNR32A4G0L |
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Numéro de pièce future | FT-UNR32A4G0L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UNR32A4G0L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 80mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 150MHz |
Puissance - Max | 100mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-723 |
Package d'appareils du fournisseur | SSSMini3-F1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR32A4G0L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UNR32A4G0L-FT |
PDTA115EK,115
NXP USA Inc.
PDTA115TK,115
NXP USA Inc.
PDTA123EK,115
NXP USA Inc.
PDTA123JK,115
NXP USA Inc.
PDTA123TK,115
NXP USA Inc.
PDTA123YK,115
NXP USA Inc.
PDTA124EK,115
NXP USA Inc.
PDTA124TK,115
NXP USA Inc.
PDTA124XK,115
NXP USA Inc.
PDTA143EK,115
NXP USA Inc.
LFE2-70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E3F27E2LG
Intel
XC7VX485T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8N
Intel
5CEBA2U15I7
Intel
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Intel