maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / UNR31AMG0L
Référence fabricant | UNR31AMG0L |
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Numéro de pièce future | FT-UNR31AMG0L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UNR31AMG0L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 80mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 80MHz |
Puissance - Max | 100mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-723 |
Package d'appareils du fournisseur | SSSMini3-F1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR31AMG0L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UNR31AMG0L-FT |
PDTA114TK,135
NXP USA Inc.
PDTA114YK,115
NXP USA Inc.
PDTA115EK,115
NXP USA Inc.
PDTA115TK,115
NXP USA Inc.
PDTA123EK,115
NXP USA Inc.
PDTA123JK,115
NXP USA Inc.
PDTA123TK,115
NXP USA Inc.
PDTA123YK,115
NXP USA Inc.
PDTA124EK,115
NXP USA Inc.
PDTA124TK,115
NXP USA Inc.
LCMXO2-1200HC-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
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Microsemi Corporation
M1AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
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Microchip Technology
EP1S20B672C6
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Intel