maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / UNR222600L
Référence fabricant | UNR222600L |
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Numéro de pièce future | FT-UNR222600L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UNR222600L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 600mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 20V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 80mV @ 2.5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | Mini3-G1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR222600L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UNR222600L-FT |
MMUN2232LT1
ON Semiconductor
MMUN2233LT1
ON Semiconductor
MUN2111T1
ON Semiconductor
PBRN113EK,115
NXP USA Inc.
PBRN113ZK,115
NXP USA Inc.
PBRN123EK,115
NXP USA Inc.
PBRN123YK,115
NXP USA Inc.
PDTA113EK,115
NXP USA Inc.
PDTA113ZK,115
NXP USA Inc.
PDTA114EK,115
NXP USA Inc.
AGLN020V5-CSG81I
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
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LCMXO2-4000HC-6QN84C
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Xilinx Inc.
EP4CE55F23C7N
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5SGXMA4K3F40C2LN
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10AX032H3F34I2SG
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