maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / UNR221V00L
Référence fabricant | UNR221V00L |
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Numéro de pièce future | FT-UNR221V00L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UNR221V00L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 2.2 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 6 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1.5mA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 150MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | Mini3-G1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR221V00L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UNR221V00L-FT |
MMUN2113LT1
ON Semiconductor
MMUN2114LT1
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NXP USA Inc.
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PBRN123EK,115
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MPF300TL-FCVG484E
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XC7VX330T-3FFG1157E
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A42MX24-PQ160
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
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LFE3-150EA-6FN672C
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