maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / UNR221N00L
Référence fabricant | UNR221N00L |
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Numéro de pièce future | FT-UNR221N00L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UNR221N00L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 150MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | Mini3-G1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR221N00L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UNR221N00L-FT |
FJV4112RMTF
ON Semiconductor
MMUN2111LT1
ON Semiconductor
MMUN2113LT1
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MMUN2114LT1
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MMUN2233LT1
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MUN2111T1
ON Semiconductor
PBRN113EK,115
NXP USA Inc.
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
EP3CLS100F484I7N
Intel
5SGXMA4K3F40I3N
Intel
EP3C5E144I7
Intel
XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
AGL060V5-CSG121I
Microsemi Corporation
LFXP6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation