maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / UNR211N00L
Référence fabricant | UNR211N00L |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-UNR211N00L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UNR211N00L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 80MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | Mini3-G1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR211N00L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UNR211N00L-FT |
FJV3107RMTF
ON Semiconductor
FJV3108RMTF
ON Semiconductor
FJV3109RMTF
ON Semiconductor
FJV3111RMTF
ON Semiconductor
FJV3112RMTF
ON Semiconductor
FJV3115RMTF
ON Semiconductor
FJV4101RMTF
ON Semiconductor
FJV4102RMTF
ON Semiconductor
FJV4103RMTF
ON Semiconductor
FJV4104RMTF
ON Semiconductor
LAXP2-8E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4TG144CR1
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
AX1000-2FG484I
Microsemi Corporation
EPF8282ATC100-2
Intel
EP4CE10F17I7N
Intel
5SGSMD5K2F40I3
Intel
5SGXEA4K1F40C2LN
Intel
5SGXMABK1H40I2N
Intel