maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / UNR211L00L
Référence fabricant | UNR211L00L |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-UNR211L00L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UNR211L00L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 4.7 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 80MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | Mini3-G1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR211L00L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UNR211L00L-FT |
FJV3106RMTF
ON Semiconductor
FJV3107RMTF
ON Semiconductor
FJV3108RMTF
ON Semiconductor
FJV3109RMTF
ON Semiconductor
FJV3111RMTF
ON Semiconductor
FJV3112RMTF
ON Semiconductor
FJV3115RMTF
ON Semiconductor
FJV4101RMTF
ON Semiconductor
FJV4102RMTF
ON Semiconductor
FJV4103RMTF
ON Semiconductor
AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AGL060V5-VQG100
Microsemi Corporation
10M25DCF484I7G
Intel
5SGXEB6R2F40C3
Intel
5SGXMA7H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F1152C2
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC4VLX160-11FF1148C
Xilinx Inc.
EPF8452AQC160-3AC
Intel