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Référence fabricant | UMT1H2R2MDD |
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Numéro de pièce future | FT-UMT1H2R2MDD |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UMT |
UMT1H2R2MDD Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 2.2µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 50V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 1000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 11mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 16.5mA @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.059" (1.50mm) |
Taille / Dimension | 0.157" Dia (4.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.236" (6.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UMT1H2R2MDD Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UMT1H2R2MDD-FT |
UFG1V102MHM
Nichicon
UFG1A222MHM
Nichicon
UFG1E102MHM
Nichicon
UFG0J332MHM
Nichicon
UFG1V102MHM1TN
Nichicon
UFG0J332MHM1TO
Nichicon
UFG1A222MHM1TO
Nichicon
UFG1H471MHM1TO
Nichicon
UFG1V102MHM1TO
Nichicon
UES1C330MEM
Nichicon
A40MX04-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-FG484
Microsemi Corporation
M2GL025TS-1VFG256
Microsemi Corporation
EP3C55F484I7N
Intel
10M16DCF484A7G
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC2VP7-5FFG896C
Xilinx Inc.
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation