maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / ULN2003ADR2G
Référence fabricant | ULN2003ADR2G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-ULN2003ADR2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ULN2003ADR2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 7 NPN Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 50µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
Puissance - Max | - |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -20°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 16-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ULN2003ADR2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ULN2003ADR2G-FT |
BC846UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC846UPNE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC856UE6327HTSA1
Infineon Technologies
HN1A01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B01FDW1T1
ON Semiconductor
HN1B04F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
IMT17T110
Rohm Semiconductor
IMT17T208
Rohm Semiconductor
IMT1AT108
Rohm Semiconductor