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Référence fabricant | UHE1H102MHD3TN |
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Numéro de pièce future | FT-UHE1H102MHD3TN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UHE |
UHE1H102MHD3TN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 1000µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 50V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 10000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 1.868A @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 2.49A @ 100kHz |
Impédance | 36 mOhms |
Espacement des fils | 0.295" (7.50mm) |
Taille / Dimension | 0.709" Dia (18.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.866" (22.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UHE1H102MHD3TN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UHE1H102MHD3TN-FT |
UHE1E272MHD6
Nichicon
UHE1H151MPD
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XCKU5P-1FFVA676E
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FGG484I
Xilinx Inc.
APA300-FG256A
Microsemi Corporation
A54SX72A-1PQ208M
Microsemi Corporation
LFE2M70E-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F27I7
Intel
5SGXMA3E1H29C2LN
Intel
EP2AGX45DF25C4
Intel
10M02SCE144C7G
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XC5VSX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.