maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / UH3DHE3_A/I
Référence fabricant | UH3DHE3_A/I |
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Numéro de pièce future | FT-UH3DHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UH3DHE3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 40ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UH3DHE3_A/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UH3DHE3_A/I-FT |
IRD3900
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRD3901
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRD3901R
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRD3902
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRD3903
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRD3903R
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRD3909
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRD3909R
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRD3910
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRD3910R
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
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EPF10K100ABC356-3
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EP1C12F324C6
Intel