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Référence fabricant | UGF1008G C0G |
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Numéro de pièce future | FT-UGF1008G C0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UGF1008G C0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGF1008G C0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UGF1008G C0G-FT |
SL43HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL44HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL44HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL44HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS32HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS32HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS32HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS32HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS33HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS33HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel