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Référence fabricant | UGB5HTHE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-UGB5HTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UGB5HTHE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 500V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.75V @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 30µA @ 500V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB5HTHE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UGB5HTHE3/45-FT |
MBRB16H50HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H60-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H60HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H60HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB735
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB735-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB735-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB735HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB735HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel