maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / UG6KB20TB
Référence fabricant | UG6KB20TB |
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Numéro de pièce future | FT-UG6KB20TB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UG6KB20TB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 6A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-ESIP |
Package d'appareils du fournisseur | D3K |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG6KB20TB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UG6KB20TB-FT |
KBP406G
Diodes Incorporated
KBP408G
Diodes Incorporated
KBP410G
Diodes Incorporated
KBL401G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL403G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL601G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL602G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL603G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL604G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU401G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
M1AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
EP4CE55F23C8L
Intel
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XA6SLX4-3CSG225I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
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LCMXO1200C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
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EP20K200EBC356-2X
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EP1K10QC208-2N
Intel