maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / UFT10010
Référence fabricant | UFT10010 |
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Numéro de pièce future | FT-UFT10010 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UFT10010 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 50A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 50A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 60ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | TO-249AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-249AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UFT10010 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UFT10010-FT |
GSXF060A120S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD060A008S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD080A015S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD100A018S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD160A012S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF030A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF100A100S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD050A010S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD080A008S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD100A008S1-D3
Global Power Technologies Group
LFECP6E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484I4N
Intel
5CEBA2F17C7N
Intel
XC7K70T-3FBG484E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35I5
Intel
EP4CE115F29I7N
Intel
EP3SL70F780C4
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel
EP20K200EQI208-3
Intel