maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / UFT10005
Référence fabricant | UFT10005 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-UFT10005 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UFT10005 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 50A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 50A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 60ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 50V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | TO-249AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-249AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UFT10005 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UFT10005-FT |
GSXD160A015S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF060A120S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD060A008S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD080A015S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD100A018S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD160A012S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF030A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF100A100S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD050A010S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD080A008S1-D3
Global Power Technologies Group
LFEC1E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-5FG256I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
APA600-CQ352M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2L
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
5SEE9H40I3N
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX24-2PLG84I
Microsemi Corporation
EP20K30EQC208-1
Intel