maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs électrolytiques en aluminium / UFG1E470MEM1TD
Référence fabricant | UFG1E470MEM1TD |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-UFG1E470MEM1TD |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UFG |
UFG1E470MEM1TD Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 47µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 25V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 1000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | Audio |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 85mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 170mA @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.098" (2.50mm) |
Taille / Dimension | 0.248" Dia (6.30mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.492" (12.50mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UFG1E470MEM1TD Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UFG1E470MEM1TD-FT |
UES1C470MPM1TA
Nichicon
UES1E330MPM1TA
Nichicon
UES1H100MPM1TA
Nichicon
UES1V220MPM1TA
Nichicon
UES1E100MDM1TD
Nichicon
UES1H2R2MDM1TD
Nichicon
UES1E100MDM
Nichicon
UES1C100MDM
Nichicon
UES1A220MDM
Nichicon
UES1H010MDM
Nichicon
XCVU3P-1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGL600V5-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1152C4N
Intel
XC6SLX4-L1CPG196I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1BG329
Microsemi Corporation
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17I5
Intel
EP4CE115F29I8LN
Intel